|
|
今年以来，针对锗单晶内部缺陷影响产品生产和质量等问题，驰宏锗业以优化工艺流程，提高设备利用率项目改造为切入点认真开展“两带两创”活动，通过党支部带党员创效，党员带群众创新，优化锗单晶退火工艺，改造后的单晶炉由原来单晶切片100片出现单晶缺陷数量为1-2片提升至单晶切片1000片出现单晶缺陷数量为1-2片，由原来的缺陷率1%-2%降至0.1%-0.2%，项目改造取得了显著成效。 以往直拉法锗单晶制备出来以后，内部存在一些微小的问题，锗晶体在其生长或加工过程中往往由于冷却不均匀或受机械损伤，在晶体中残存有内应力，这些内应力使晶体易脆裂，导致后段生产过程中有1-2%的毛坯片出现缺陷，且现有退火工艺为炉内保温退火，耗时长达3-4h，造成设备利用率降低。 如何消除微缺陷，制作出优质的器件，减少单晶炉单炉耗用时间，提高设备利用率成为驰宏锗业急需创新解决的问题。针对这一难题，生产党小组党员带领班组职工群众成立项目攻关小组，制定相应方案计划，经过前期多次调研分析，不断调整工艺参数，攻关小组决定采用独立的退火炉设备对锗单晶进行热处理，预计减少单晶炉单炉耗用时间15%，提高锗单晶品质，稳定电阻率，改善截面均匀性，消除晶体内应力和技协损伤，从而提升产品品质，提高产能。（陈锦 陈俊肖） |
