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驰宏锗业“两带两创”工艺改造项目显成效

今年以来,针对锗单晶内部缺陷影响产品生产和质量等问题,驰宏锗业以优化工艺流程,提高设备利用率项目改造为切入点认真开展“两带两创”活动,通过党支部带党员创效,党员带群众创新,优化锗单晶退火工艺,改造后的单晶炉由原来单晶切片100片出现单晶缺陷数量为1-2片提升至单晶切片1000片出现单晶缺陷数量为1-2片,由原来的缺陷率1%-2%降至0.1%-0.2%,项目改造取得了显著成效。

以往直拉法锗单晶制备出来以后,内部存在一些微小的问题,锗晶体在其生长或加工过程中往往由于冷却不均匀或受机械损伤,在晶体中残存有内应力,这些内应力使晶体易脆裂,导致后段生产过程中有1-2%的毛坯片出现缺陷,且现有退火工艺为炉内保温退火,耗时长达3-4h,造成设备利用率降低。

如何消除微缺陷,制作出优质的器件,减少单晶炉单炉耗用时间,提高设备利用率成为驰宏锗业急需创新解决的问题。针对这一难题,生产党小组党员带领班组职工群众成立项目攻关小组,制定相应方案计划,经过前期多次调研分析,不断调整工艺参数,攻关小组决定采用独立的退火炉设备对锗单晶进行热处理,预计减少单晶炉单炉耗用时间15%,提高锗单晶品质,稳定电阻率,改善截面均匀性,消除晶体内应力和技协损伤,从而提升产品品质,提高产能。(陈锦  陈俊肖)

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